宽禁带科技论|芯三代： 8英寸晶圆上生长4H-SiC外延层及重复性研究 第三代半导体碳化硅(SiliconCarbide, SiC)材料从2英寸、3英寸、4英寸到6英寸的发展历程，已经证明了扩大尺寸可以显著提升SiC芯片和器件生产的经济性，目前碳化硅产业已经在推动开发8英寸晶圆，晶圆直径增加50mm，晶圆面积增加78%，切出的芯片 研究 sic 晶圆 宽禁带 宽禁带科技 2025-09-09 08:50 4